台积电2纳米制程研发顺利

台积电纳米级突破：纳米和降本的双重利好

近日，台积电宣布实现了10纳米制程芯片的量产，这是TSMC历经七年努力取得的“长足一跨”。这次突破意味着什么？对行业有哪些影响？本文将从纳米和降本两个方面进行分析。

一、纳米级突破，迈向更高精度制程

习惯上，电子工业制程按照晶体管门宽来分类，比如常见的28纳米、16纳米、7纳米等。实际上，除了晶体管的门宽，还有其他因素会影响制程的精度和性能，比如光刻机、化学品等。10纳米制程指的就是综合考虑了这些因素后，最终实现的电子器件尺寸约为10纳米的工艺。

为了达到更高精度的制程，台积电在10纳米制程上采用了多种新技术。比如光刻机层次多暴露场（LELEF）技术，可以提升图形的精度和形状控制；化学供应系统（CSS）可以制造更具复杂性的图形。台积电还实现了双重曝光（DLE）和极紫外（EUV）等多项技术突破，为今后20纳米以下的制程积累经验。

二、降本突破，赢得更多订单

台积电的这次突破不仅仅是纳米级别上的技术更新，也是一种成本控制的方式。10纳米制程相对于之前的16纳米制程，能够提高芯片的功能性能、维度收缩、功耗降低，且节约了一些用来制造芯片的辅助材料和工艺费用，从而使制造成本得到控制和降低。随着机器学习和云计算等应用的不断发展，芯片需求量越来越大，成本自然成为了客户和厂商在选择芯片厂商时考虑的一个重要因素。这次突破也意味着台积电可以在市场上提供更优惠和具有竞争力的价格。

增加订单量也是台积电突破的主要动力之一。作为目前全球最大的代工厂商之一，台积电在3月底就宣布了一项大手笔计划，拟在未来五年内投入1.09万亿新台币（约合3768亿美元）支持制程研发和扩大产能，旨在取得更多订单。

三、结论

这次10纳米制程的突破，对于台积电、整个半导体行业来说都是一件大事，同时也是技术和市场上的双重利好。此次实现10纳米制程芯片的量产，不仅拓展了台积电在半导体市场的竞争优势，也为客户带来了价格优势，同时也意味着台积电在先进制程上获得的经验和技术突破，将为未来更高精度的制程技术提供帮助。

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